Al/p-Si Schottky kontak yapıların sıcaklığa bağlı akım gerilim (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Erzincan Binali Yıldırım Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2012

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ORKUN GÜLTEPE

Danışman: Murat Gülnahar

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Schottky diyotların akım-gerilim karakteristiklerinin anlaşılması oldukça ilgi çekicidir. Bu yapıların oda sıcaklığında ölçülmüş akım-gerilim karakteristiklerinin analizi ara yüzeyde engel oluşumunun doğası hakkında ayrıntılı bilgi vermektedir. Ayrıca akım-gerilim karakteristiklerinin sıcaklığa bağımlılığı, iletkenlik mekanizmasının farklı bir açıdan anlaşılmasını sağlamaktadır.Bu çalışmada Al/p-Si Schottky diyotların elektriksel karakteristikleri 150-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Akım-gerilim analizlerinin sonucunda düşük sıcaklıklarda görünür engel yüksekliğinde anormal bir azalma ve idealite faktöründe de bir artış olduğu ortaya çıktı. Bu anormallikler metal-yarıiletken ara yüzeyinde ortaya çıkan engel yüksekliklerindeki homojensizlikden kaynaklandığı tespit edildi. Sonuçta Al/p-Si Schottky engel diyottaki homojensizlikler Gauss dağılımı ile başarılı bir şekilde karakterize edilebildi.