The Effects of Thermal Annealing on Al/n-Inp/In Schottky Barrier Heihgts as a Function of Sample Temperature (ICSMD’ 2018)
2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices, Ardahan, Türkiye, 28 - 30 Ağustos 2018, ss.97, (Tam Metin Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
- Basıldığı Şehir: Ardahan
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Sayfa Sayıları: ss.97
- Erzincan Binali Yıldırım Üniversitesi Adresli: Evet